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SiR436DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
10
60
40
V GS = 10 thr u 4 V
V GS = 3 V
8
6
4
T C = 25 °C
20
2
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.00 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.006
0.004
0.002
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1 8 00
1200
600
C oss
C iss
C rss
0.000
0
0
20
40
60
8 0
100
120
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
8
6
1.7
1.5
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 6 V
V DS = 12.5 V
V DS = 19 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69011
S-82666-Rev. A, 03-Nov-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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